Бурштейна-Мосса эффект

Бурштейна-Мосса эффект, сдвиг края области собственного поглощения света полупроводником в сторону высоких частот при увеличении концентрации электронов проводимости и заполнении ими зоны проводимости. Так, в кристалле InSb с собственной проводимостью край поглощения соответствует (при T=300 К) длине волны λ_кр=7,2 мкм; после легирования образца донорами до концентрации 5·10¹⁸см^-3 λ_кр=3,2 мкм. Бурштейна-Мосса эффект — следствие Паули принципа: оптические квантовые переходы возможны лишь при условии, что состояние, в которое переходит электрон, не занято другим электроном. Установлено независимо друг от друга американским физиком Э. Бурштейном (Е. Burstein) и английским физиком Т. С. Моссом (Т. S. Moss) в 1954.